Linux MTD下获取Nand flash各个参数的过程的详细解析

版本:v1.1

Crifan Li

摘要

本文主要介绍了Nand Flash的一些背景知识和术语,然后详尽分析了Linux的MTD中的nand_base.c中的nand_get_flash_type函数每一步骤的功能。

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2012-08-09

修订历史
修订 1.0 2009-07-28 crl
  1. 详细解析了Linux MTD下获取Nand flash各个参数的具体过程
修订 1.1 2012-08-09 crl
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目录

1. 看此文之前,一些有必要先解释的术语
1.1. Program(编程)
1.2. Datasheet(数据手册)
1.3. Erasesize / Writesize
1.4. Spare Area / Redundant Area / OOB
1.5. Page Register(页寄存器)
1.6. Chip和Plane
2. 代码详细解析
2.1. 解析函数nand_get_flash_type

插图清单

2.1. Nand Flash读取出来的各个ID的含义
2.2. Nand Flash 第三个ID的具体含义
2.3. Nand Flash中多页编程对应的多个Plane的组织架构
2.4. Nand Flash 第4个ID的具体含义

第 1 章 看此文之前,一些有必要先解释的术语

摘要

下面是Linux MTD中,获取nand flash型号,各个参数,以及硬件特性的函数,其实也就是nand_get_flash_type,下面对其详细解析:

1.1. Program(编程)

此处的编程,不是写软件,写代码,而是对于硬件来说的,可以理解为对硬件编程,只不过其工具是硬件内部的逻辑,而不是你用的软件。对Nand Flash的编程,本质上就是实现写操作,将数据写到Nand Flash里面去,所以对于nand flash,可以简单的理解为 program编程=write写(数据)。

1.2. Datasheet(数据手册)

这个词,本来没啥好说的,接触多了,自然就知道了。但是对于和我类似,最开始接触的时候,就是没搞懂这个词的具体含义。其中文翻译,一般称作,数据手册,意思就是,一个关于描述硬件各个硬件特性,参数以及/或者如何操作,如何使用的文档。

1.3. Erasesize / Writesize

这个是Linux MTD中,关于块大小和页大小的别名,第一次见到的时候,把我搞糊涂了,后来才慢慢明白的。因为,nand 操作的写基本单位页,所以,writesize,对应的就是pagesize,页大小。而擦除操作的基本单位是blocksize,块大小,所以也叫它erasesize。在此简单提一下这几个名词,方便和我遇到类似问题的朋友。

1.4. Spare Area / Redundant Area / OOB

nand flash中每一页对应一块区域,用于存放校验的ECC数据和其他一些信息,比如上层文件系统放的和自己文件系统相关的数据。这个区域,在Linux MTD相关系统中,被称作oob(out of band),可以翻译为带外,也就是nand flash的一个页,可以称作一个band,band之外,对应的就是指那个多出来的,特殊的区域了。而nand flash的datasheet中,一般成为spare area,可译为空闲区域,另外,在ID的含义解释中也叫做redundant area,可译为冗余区域,归根结底,都是一个含义。不要被搞糊涂了就好。

1.5. Page Register(页寄存器)

nand flash硬件中的一块地方,名字叫做register,实际就是一个数据缓存,一个buffer,用于存放那些从flash读出来或者将要写入到flash中的。其实叫做页缓存,更合适,更容易明白其含义。此页寄存器的大小=页大小+ oob 大小,即pagesize+oob,对于常见的页是2KB的,此页寄存器就是2KB+64=2112字节。

1.6. Chip和Plane

对于chip,其实任何某个型号的flash,都可以称其是一个chip,但是实际上,此处的chip,是针对内部来说的,也就是某型号的flash,内部有几个chip,比如下面会举例说到的,三星的2GB的K9WAG08U1A芯片(可以理解为外部芯片/型号)内部装了2个单片是1GB的K9K8G08U0A,此时就称 K9WAG08U1A内部有2个chip,而有些单个的chip,内部又包含多个plane,比如上面的K9K8G08U0A内部包含4个单片是2Gb的Plane。只有搞清楚了此处的chip和plane的关系,才能明白后面提到的多页(Multi Plane / Multi Page)编程和交互(interleave)编程的含义。

第 2 章 代码详细解析

摘要

详细代码可以在这里找到:linux/drivers/mtd/nand/nand_base.c

2.1. 解析函数nand_get_flash_type

2407/*
2408 * Get the flash and manufacturer id and lookup if the type is supported
2409 */
2410static struct nand_flash_dev *nand_get_flash_type(struct mtd_info *mtd,
2411                                                  struct nand_chip *chip,
2412                                                  int busw, int *maf_id)
2413{
2414        struct nand_flash_dev *type = NULL;
2415        int i, dev_id, maf_idx;
2416        int tmp_id, tmp_manf;
2417
2418        /* Select the device */
2419        chip->select_chip(mtd, 0);1
2420
2421        /*
2422         * Reset the chip, required by some chips (e.g. Micron MT29FxGxxxxx)
2423         * after power-up
2424         */
2425        chip->cmdfunc(mtd, NAND_CMD_RESET, -1, -1);
2426
2427        /* Send the command for reading device ID */
2428        chip->cmdfunc(mtd, NAND_CMD_READID2, 0x00, -1);
2429
2430        /* Read manufacturer and device IDs */3
2431        *maf_id = chip->read_byte(mtd);
2432        dev_id = chip->read_byte(mtd);
2433
2434        /* Try again to make sure, as some systems the bus-hold or other
2435         * interface concerns can cause random data which looks like a
2436         * possibly credible NAND flash to appear. If the two results do
2437         * not match, ignore the device completely.
2438         */
2439
2440        chip->cmdfunc(mtd, NAND_CMD_READID4, 0x00, -1);
2441
2442        /* Read manufacturer and device IDs */
2443
2444        tmp_manf = chip->read_byte(mtd);
2445        tmp_id = chip->read_byte(mtd);
2446
2447        if (tmp_manf != *maf_id || tmp_id != dev_id) {
2448                printk(KERN_INFO "%s: second ID read did not match "
2449                       "%02x,%02x against %02x,%02x\n", __func__,
2450                       *maf_id, dev_id, tmp_manf, tmp_id);
2451                return ERR_PTR(-ENODEV);
2452        }
2453
2454        /* Lookup the flash id */
2455        for (i = 0; nand_flash_ids5[i].name != NULL; i++) {
2456                if (dev_id == nand_flash_ids[i].id) {6
2457                        type =  &nand_flash_ids[i];
2458                        break;
2459                }
2460        }
2461
2462        if (!type)
2463                return ERR_PTR(-ENODEV);
2464
2465        if (!mtd->name)
2466                mtd->name = type->name;
2467
2468        chip->chipsize = (uint64_t)type->chipsize << 207;
2469
2470        /* Newer devices have all the information in additional id bytes */
2471        if (!type->pagesize) {
2472                int extid;
2473                /* The 3rd id byte holds MLC / multichip data */
2474                chip->cellinfo8 = chip->read_byte(mtd);
2475                /* The 4th id byte is the important one */9
2476                extid = chip->read_byte(mtd);
2477                /* Calc pagesize */10
2478                mtd->writesize = 1024 << (extid & 0x3);
2479                extid >>= 2;
2480                /* Calc oobsize */11
2481                mtd->oobsize = (8 << (extid & 0x01)) * (mtd->writesize >> 9);
2482                extid >>= 2;
2483                /* Calc blocksize. Blocksize is multiples of 64KiB */12
2484                mtd->erasesize = (64 * 1024) << (extid & 0x03);
2485                extid >>= 2;
2486                /* Get buswidth information */
2487                busw = (extid & 0x01) ? NAND_BUSWIDTH_1613 : 0;
2488
2489        } else {
2490                /*
2491                 * Old devices have chip data hardcoded in the device id table 14
2492                 */
2493                mtd->erasesize = type->erasesize;
2494                mtd->writesize = type->pagesize;
2495                mtd->oobsize = mtd->writesize / 32;
2496                busw = type->options & NAND_BUSWIDTH_16;
2497        }
2498
2499        /* Try to identify manufacturer */15
2500        for (maf_idx = 0; nand_manuf_ids[maf_idx].id != 0x0; maf_idx++) {
2501                if (nand_manuf_ids[maf_idx].id == *maf_id)
2502                        break;
2503        }
2504
2505        /*
2506         * Check, if buswidth is correct. Hardware drivers should set16
2507         * chip correct !
2508         */
2509        if (busw != (chip->options & NAND_BUSWIDTH_16)) {
2510                printk(KERN_INFO "NAND device: Manufacturer ID:"
2511                       " 0x%02x, Chip ID: 0x%02x (%s %s)\n", *maf_id,
2512                       dev_id, nand_manuf_ids[maf_idx].name, mtd->name);
2513                printk(KERN_WARNING "NAND bus width %d instead %d bit\n",
2514                       (chip->options & NAND_BUSWIDTH_16) ? 16 : 8,
2515                       busw ? 16 : 8);
2516                return ERR_PTR(-EINVAL);
2517        }
2518
2519        /* Calculate the address shift from the page size */
2520        chip->page_shift17 = ffs(mtd->writesize) - 1;
2521        /* Convert chipsize to number of pages per chip -1. */
2522        chip->pagemask18 = (chip->chipsize >> chip->page_shift) - 1;
2523
2524        chip->bbt_erase_shift = chip->phys_erase_shift =
2525                ffs(mtd->erasesize) - 1;
2526        if (chip->chipsize & 0xffffffff)
2527                chip->chip_shift = 19ffs((unsigned)chip->chipsize) - 1;
2528        else
2529                chip->chip_shift = ffs((unsigned)(chip->chipsize >> 32)) + 32 - 1;
2530
2531        /* Set the bad block position */20
2532        chip->badblockpos = mtd->writesize > 512 ?
2533                NAND_LARGE_BADBLOCK_POS : NAND_SMALL_BADBLOCK_POS;
2534
2535        /* Get chip options, preserve non chip based options */21
2536        chip->options &= ~NAND_CHIPOPTIONS_MSK;
2537        chip->options |= type->options & NAND_CHIPOPTIONS_MSK;
2538
2539        /*
2540         * Set chip as a default. Board drivers can override it, if necessary
2541         */
2542        chip->options |= NAND_NO_AUTOINCR;22
2543
2544        /* Check if chip is a not a samsung device. Do not clear the
2545         * options for chips which are not having an extended id.
2546         */
2547        if (*maf_id != NAND_MFR_SAMSUNG && !type->pagesize)
2548                chip->options &= ~NAND_SAMSUNG_LP_OPTIONS;23
2549
2550        /* Check for AND chips with 4 page planes */
2551        if (chip->options & NAND_4PAGE_ARRAY)24
2552                chip->erase_cmd = multi_erase_cmd;
2553        else
2554                chip->erase_cmd = single_erase_cmd;
2555
2556        /* Do not replace user supplied command function ! */
2557        if (mtd->writesize > 512 && chip->cmdfunc == nand_command)
2558                chip->cmdfunc = nand_command_lp;25
2559
2560        printk26(KERN_INFO "NAND device: Manufacturer ID:"
2561               " 0x%02x, Chip ID: 0x%02x (%s %s)\n", *maf_id, dev_id,
2562               nand_manuf_ids[maf_idx].name, type->name);
2563
2564        return type;27
2565}
        

1

选中芯片,才能对其操作。

2

发送ReadID的命令:0x90,去取得芯片的ID信息

3

根据datasheet中的定义,第一个字节,简称byte1,是生产厂商的信息,不同的厂商,对应不同的数字。而byte2是芯片类型,不同的nand flash芯片,对应不同的设备ID,也就是一个字节的数字。

关于读取出来的ID的具体含义,可以参考三星K9K8G08U0A的datasheet中解释:

图 2.1. Nand Flash读取出来的各个ID的含义

Nand Flash读取出来的各个ID的含义

4

再次发送ReadID命令,其目的,上面注释代码中说了,有些特殊的系统中,第一次读取的信息,看起来是很正常,但是实际是错的,所以这里读两次,正常的设备,肯定都会一样的,如果两次不一样,那么说明设备有问题,也就直接函数返回了。

5

下面根据读取出来的flash ID,也就是具体flash芯片,或叫做设备ID,不同的数值,对应不同的容量和物理参数的flash。

其中,nand_flash_ids是个预先定义好的数组,其定义在:drivers\mtd\nand\nand_ids.c中,此处简要摘录如下:

/*
*	Chip ID list
*
*	Name. ID code, pagesize, chipsize in MegaByte, eraseblock size, options
*
*	Pagesize; 0, 256, 512
*	0	get this information from the extended chip ID
+	256	256 Byte page size
*	512	512 Byte page size
*/
struct nand_flash_dev1 nand_flash_ids[] = {
......
    /* 4 Gigabit */
    {"NAND 512MiB 1,8V 8-bit",	0xAC, 0, 512, 0, LP_OPTIONS},
    {"NAND 512MiB 3,3V 8-bit",	0xDC, 0, 512, 0, LP_OPTIONS},
    {"NAND 512MiB 1,8V 16-bit",	0xBC, 0, 512, 0, LP_OPTIONS16},
    {"NAND 512MiB 3,3V 16-bit",	0xCC, 0, 512, 0, LP_OPTIONS16},

    /* 8 Gigabit */
    {"NAND 1GiB 1,8V 8-bit",	0xA3, 0, 1024, 0, LP_OPTIONS},
    {"NAND 1GiB 3,3V 8-bit",	0xD3, 0, 1024, 0, LP_OPTIONS},
    {"NAND 1GiB 1,8V 16-bit",	0xB3, 0, 1024, 0, LP_OPTIONS16},
    {"NAND 1GiB 3,3V 16-bit",	0xC3, 0, 1024, 0, LP_OPTIONS16},
......
}
                    

1

而结构体nand_flash_dev的定义如下:include\linux\mtd\nand.h

/**
 * struct nand_flash_dev - NAND Flash Device ID Structure
 * @name:	Identify the device type
 * @id:		device ID code
 * @pagesize:	Pagesize in bytes. Either 256 or 512 or 0
 *		If the pagesize is 0, then the real pagesize
 *		and the eraseize are determined from the
 *		extended id bytes in the chip
 * @erasesize:	Size of an erase block in the flash device.
 * @chipsize:	Total chipsize in Mega Bytes
 * @options:	Bitfield to store chip relevant options
 */
struct nand_flash_dev {
    char *name;
    int id;
    unsigned long pagesize;
    unsigned long chipsize;
    unsigned long erasesize;
    unsigned long options;
};
                            

在结构体数组nand_flash_ids[]中,预先定义了,目前所支持的很多类型Nand Flash的具体物理参数,主要是上面结构体中的页大小pagesize,芯片大小chipsize,块大小erasesize,而id变量表示此类型的芯片,用哪个数字来表示。

6

此处通过刚读取到的设备ID,去和预先定义好的那个结构体数组nand_flash_ids[]中的每一个ID去比较,如果相等,那么说明支持此款nand falsh,而其他的信息,就可以直接从后面几项中直接获得了。

[注意] 当pagesize为0的时候

如果pagesize是0,那么说明关于pagesize和其他一些信息,要通过读取额外的ID来获得,这也就是待会下面要详细解释的。

而对于旧的一些nand flash,在表项中其pagesize不是0,就可以直接可以从上面的预定义的表里面获得了。

比如,对于常见的三星的型号为K9K8G08U0A的nand flash,其设备号是0xD3,找到匹配的表项就是:

{"NAND 1GiB 3,3V 8-bit",	0xD3, 0, 1024, 0, LP_OPTIONS},

因此也就知道,其容量是1024MB,设备相关物理特性是1GiB 3,3V 8-bit了。

而关于pagesize和块大小erasesize此处都是0,就只能另外从后面读取的ID中获得了。

7

此处由于上面表中的chipsize是MB=210Bytes为单位的,所以要左移20位,换算成byte单位

8

解释下面代码第三个字节之前,要先把图标帖出来,才更容易看得懂具体的解释:

图 2.2. Nand Flash 第三个ID的具体含义

Nand Flash 第三个ID的具体含义

由表中定义可以看出:

  1. Internal Chip Number

    意思是,内部芯片有几颗。

    有些型号的Nand Flash,为了实现更高的容量,在芯片内部封装了多个芯片。

    比如三星的K9WAG08U1A容量是2GB,内部是装了2个单片是1GB的K9K8G08U0A,对应地,里面要包含2个片选CE1和CE2(均是低电平有效),而4GB的K9NBG08U5A包含了4片的K9K8G08U0A。

  2. Cell Type:SLC / MLC

    bit2&bit3表示的是芯片的类型,是SLC还是某种MLC:

    • Bit2,bit3=0x00 : SLC,简单说就是内部单个存储单元,存储一位的数据,所能表示的数值只有0,1,也就需要两种不同的电压来表示,所以叫做2 Level的Cell。
    • Bit2,bit3=0x01/0x10/0x11 : 4 /8/16 Level Cell,都叫做MLC,其含义是内部单个存储单元设计成可以表示多个,即4/8/16个不同的电压,对应地,可以表示2,3,4位的数据。

      这类的MLC的nand flash,由于单个存储单元,要存储更多的数据,所以内部结构更复杂,读取和写入数据的逻辑更复杂,相对数据出错的几率也比SLC要大。

      所以,一般MLC的使用,都需要检错和纠错能力更强的硬件或软件算法,以保证数据的正确性。

      软件实现此类的多位数据的检错和纠错的效率相对较低,一般是硬件本身就已经提供此功能。

      对应的其为硬件ECC,也就是Linux内核MTD中的HW_ECC。

      其他关于SLC/MLC的更详细解释,感兴趣的可以去看另一个帖子:【详解】如何编写Linux下Nand Flash驱动

  3. Number of Simultaneously Programmed Pages

    可以对几个页同时编程/写。

    此功能简单的说就是,一次性地写多个页的数据到对应的不同的页。

    对应支持此操作的,硬件上必须要有多个plane,而每个plane,都有一个自己的页寄存器。

    比如K9K8G08U0A有4个plane,分别叫做,plane0,plane1,plane2,plane3。

    它们共分成2组,plane0和plane1,plane2和plane3。如图:

    图 2.3. Nand Flash中多页编程对应的多个Plane的组织架构

    Nand Flash中多页编程对应的多个Plane的组织架构

    在多页编程时候,只能对某一组中的两个plane操作,不允许类似于plane0和plane2或plane3一起去做多页编程。

    以plane0和plane1为例,在实现具体的编程动作之前,将你要写入的2个页的数据,分别写入plane0和plane1中的页寄存器,然后才能发命令,去实现具体的编程操作。

    正是因为多页编程需要底层的多plane支持,底层实现的时候,是同时对多个plane编程,所以,也被叫做Multi Plane Program

  4. Interleave Program Between Multiple chips

    交错,从字面意思就可以看出,此操作涉及对象就不止一个。

    交错编程,就是对多个chip,交错地进行编程,先对一个编程,充分利用第一个编程过程中需要等待的时间,转去操作另一个,以此实现总体效率的提高。

    如果支持Interleave Program的话,那么前面的chip number必然大于1。

  5. Cache Program
    • Cache读

      在开始了一次cache读之后,在你把数据读出去的这段时间,nand flash会自动地把下一页的数据读取出来放到页寄存器。

    • Cache写

      在你写入数据的时候,对应的内存中的数据,不是直接写到页寄存器中,而是到了cache buffer中

      然后再发cache 写的命令,此时,数据才从cache buffer中,转递到页寄存器中,然后把数据一点点编程到nand flash

      此时,你可以去利用页编程的时间,去准备下一次的数据,然后依此地写入下一个页。

    Cache读或写,是充分利用了读一页数据出来,或者将一页数据写到flash里面去的时间,去准备新的一页的数据,这样就可以实现连续的读或写,大大提高读写效率。

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读取4th ID

4th ID的含义,如图:

图 2.4. Nand Flash 第4个ID的具体含义

Nand Flash 第4个ID的具体含义

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Page Size,如图 2.4 “Nand Flash 第4个ID的具体含义”所示,页大小,是bit0和bit1组合起来所表示的。

extid & 0x3,就是取得bit0和bit1的值,而左移1024位,是因为上面表中的单位是KB=210=1024。

[提示] 此处关于1024 << (extid & 0x3)的含义

我之前也是看了很长时间,都没看懂,后来才看懂具体的意思的。

1024 << (extid & 0x3) 其实就是

= 1024 × (1<< (extid & 0x3))

= 前面的1024

= 之前的单位:KB

而后面的写法,即2的extid & 0x3的次方,比如,如果extid & 0x3是3,那么,1<< (extid & 0x3)就是1<<3=8,对应的上面的8KB。

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Redundant Area Size(byte/512byte)

前面介绍过了,此处的oob,就是datasheet中的redundant area size就是linux中的oob大小。

上面表中的意思是,512个byte,对应8还是16个字节的redundant area。

之所以是512字节对应多少个,是因为以前的nand flash页大小是512(除了最早的好像是256之外),所以估计是硬件设计就这样设计了。512个字节对应多少个冗余的数据用作oob,而后来的页大小,对应的是512的整数倍,比如2K,4K等

所以,此处可以按照每个512对应几个字节的oob,然后再算页大小是512的多少倍,即:

此处的extid & 0x01算出来的值,对应上面的8或16,而mtd->writesize >> 9,其实就是

mtd->writesize /512,到此,才算清楚,为何此处oob是这么算的。

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Block Size

具体算法很清楚,算出是64KB的多少倍,得出总大小。

此处之所以是64KB为基础,是因为已知最小的blocksize,就是64KB的。

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Organization

X8/X16,表示的是,硬件I/O位宽(Bus Width)是8位的还是16位的。

目前大多数,都是X8的。

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旧的nand flash的一些参数,是知道设备ID后,可以直接从表中读取出来的。

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根据读取出来的生长厂商的ID,去和表中对应项匹配,找到是哪家的nand flash芯片。

其中,nand_manuf_ids和上面nand_flash_ids类似,也是个预先定义好的数组,其定义和nand_flash_ids同文件drivers\mtd\nand\nand_ids.c中:

/*
*	Manufacturer ID list
*/
struct nand_manufacturers nand_manuf_ids[] = {
	{NAND_MFR_TOSHIBA, "Toshiba"},
	{NAND_MFR_SAMSUNG1, "Samsung"},
	{NAND_MFR_FUJITSU, "Fujitsu"},
	{NAND_MFR_NATIONAL, "National"},
	{NAND_MFR_RENESAS, "Renesas"},
	{NAND_MFR_STMICRO, "ST Micro"},
	{NAND_MFR_HYNIX, "Hynix"},
	{NAND_MFR_MICRON, "Micron"},
	{NAND_MFR_AMD, "AMD"},
	{0x0, "Unknown"}
};
                    

1

对应的各个厂家的宏和结构体的定义是在:include\linux\mtd\nand.h中:

/*
 * NAND Flash Manufacturer ID Codes
 */
#define NAND_MFR_TOSHIBA	0x98
#define NAND_MFR_SAMSUNG	0xec1
#define NAND_MFR_FUJITSU	0x04
#define NAND_MFR_NATIONAL	0x8f
#define NAND_MFR_RENESAS	0x07
#define NAND_MFR_STMICRO	0x20
#define NAND_MFR_HYNIX		0xad
#define NAND_MFR_MICRON		0x2c
#define NAND_MFR_AMD		0x01

/**
 * struct nand_manufacturers - NAND Flash Manufacturer ID Structure
 * @name:	Manufacturer name
 * @id:		manufacturer ID code of device.
*/
struct nand_manufacturers {
	int id;
	char * name;
};
                                

1

我们最常读到的生产厂家的id:0xEC,就是对应这里的Samsung,表示此款nand flash是三星家的。

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检测你的驱动中的关于位宽的定义,是否和硬件所一致。

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此处计算的pagesize,blocksize等的shift,是为了后期的对这些值的除操作更加高效而做的。

对于代码中的除操作,如果直接只是/pagesize,则没有直接算出其是2的多少次方,然后用位移操作,更加高效。因此,此处直接计算好是多少个shift,以后的除于pagesize,blocksize,就可以直接用对应的位移操作了。

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算出mask,为了后期保证传入的地址不越界,所以会对其mask一下。

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这段,貌似是新的kernel里面新加的,而且把chip->chipsize定义换成uint64_t了,支持超过4GB大小的nand flash了

否则,如果你正好是4GB,对于旧的代码chip->chipsize是uint32_t类型的,那么正好就变成0了。

此处之所以去chip->chipsize & 0xffffffff判断是超过4GB,看起来,估计是ffs函数最多支持32位,所以,没法计算超过此大小的ffs。

[提示] ffs简介

简单说一下,ffs是计算一个数值的第一个被置位的位置,全称好像是 find first set bit

其简单解释如下:

ffs

查找第一个已设置的位

函数原型:int ffs (int x)

x为要搜索的字

刚百度了一下,好像还有个对应的函数:ffz,找到第一个0的位置,估计就是find first zero bit了。呵呵。

而且,这些,好像是Linux提供的基本函数库里面的,自己之前都没怎么听说过呢。汗一个先。。。

20

设置坏块的标记位置。

关于nand flash的small block和large block,据我了解,好像就是对应的small pagesize和large pagesize,而此处的大小,是针对于旧的nand flash,其页大小pagesize是512

所以,Small block就是页大小是512B的nand flash,而larger block就是新的,页大小大于512B的,比如2KB,4KB等的nand flash。

下面的宏定义在include\linux\mtd\nand.h中:

/*
* Constants for oob configuration
*/
#define NAND_SMALL_BADBLOCK_POS		5
#define NAND_LARGE_BADBLOCK_POS		0
                

约定俗成的,small block的nand ,坏块标记在byte5,而large block的nand flash在byte0。

关于坏块标记,实际情况更复杂些:

[提示] Nand Flash坏块标记位置

对于2K页的nand flash,标记位置都是页内oob开始处,都是非0xFF表示坏块,

但是,对于是第几页,不同nand flash就有不同的规定了:

有些nand flash,是标记在坏块的第一个页(或者是第二个页,这点是考虑到,万一第一个页是坏的,所以才做此规定的。一般都是在第一个页处做标记)

比如三星的多数SLC,Hynix等

另一些,是在一个块内的最后一页或倒数第二页做此标记,比如samsung MLC , Numonyx等。

所以,真正比较完整的检查坏块的做法,至少要检测块内第一,第二,倒数第一,倒数第二页,是否是0xFF,才能比较全面的判断是否是坏块的。

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获得上面nand id表中的默认设置的那些option:LP_OPTIONS(如果是X16则是,LP_OPTIONS16)。

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自动增加页数??? 没太搞懂啥意思,估计是cache program/read相关的吧,目前据我了解的,好像页只有cache program/read,能和auto increment pages有点关系。

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如果有extentID且不是三星的nand flash,则清除掉上面我们默认设置的那些参数:LP_OPTIONS。

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一种特殊的nand flash,AND chip。所以,也要赋值给特殊的擦除函数。

具体关于此类nand flash的介绍,感兴趣的自己参考上面drivers\mtd\nand\nand_ids.c中nand_flash_ids数组中的解释。

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如果nand flash的页大小是大于512B,也就是2KB,4KB等新的,被称作large block或largepage的nand flash,此处的lp,应该也就是large page的缩写。

此类的nand flash比旧的,在发送地址的时候,多一个地址周期。具体参考datasheet。

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终于检测完所有需要的信息了。最后打印出nand flash的相关信息。

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活干完了,就可以return回家了,呵呵。